3-D晶体管是22纳米工艺的精髓

其实制作芯片和盖大楼类似，地基就是晶元。笔者在Haswell处理器至尊地带首发仪式上有幸拍摄到的晶元，在晶元片上英特尔将建造“3-D三栅极”晶体管和相关布线。

Haswell晶圆

在22纳米工艺制程之前(2012年)处理器晶体管多是采用2-D设计，Intel发现了2-D的瓶颈，于是决定多管齐下全方向减小栅极的漏电、降低处理器功耗，提高处理器性能。

三栅极晶体管发展

正如上图所示，2D晶体管与3D晶体管区别非常明显。相对于2-D平面栅极结构晶体管来说，三栅极晶体管是根据栅极具有三面而命名的。平面栅极变成了立体栅极，其意义与CPU的单核心迈向双核心有过之而无不及。当然目前我们可以理解为3-D晶体管就是芯片通道的立交桥，其作用就是使得芯片进行数据(0/1)“传输”更加高效。

左2-D晶体管右3-D晶体管

3-D晶体管代表着从2-D平面晶体管结构的根本性转变。实际上科学家们早就意识到3-D结构对延续摩尔定律的重要意义，因为面对非常小的设备尺寸，物理定律成为晶体管技术进步的障碍。3D的架构则意味着平面到空间的转换，以线动成面、面动成空间的基本常识来说，3-D晶体管可以看做是一种晶体管架构的大幅度进化。